RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
77
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2940
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link