RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
77
Intorno -353% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
17
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3702
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link