RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3702
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link