RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
59
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1968
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link