RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3694
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link