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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
22.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
18.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
77
Intorno -353% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
17
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3847
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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