RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
22.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
18.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
77
Por volta de -353% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
17
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
22.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
18.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3847
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link