RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
77
Intorno -221% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
24
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2168
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link