RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2168
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link