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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
77
99
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
99
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1386
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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