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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
77
99
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
99
读取速度,GB/s
3,405.2
14.4
写入速度,GB/s
2,622.0
6.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1386
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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