RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HX421C14FB/4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2730
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link