RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
77
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
50
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2159
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link