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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
77
左右 -54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
50
读取速度,GB/s
3,405.2
10.0
写入速度,GB/s
2,622.0
7.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2159
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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