RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2663
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link