RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2663
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link