RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2220
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link