RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.2
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
9.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2220
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link