RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2081
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link