RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2081
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link