RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2988
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link