RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2988
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link