RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
77
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
58
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2025
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link