RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
77
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2025
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link