RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3050
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link