RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3050
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link