RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
77
Intorno -108% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
37
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2528
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link