RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2528
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link