RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
77
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
57
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link