RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
77
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link