RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
77
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link