RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3033
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link