RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3033
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link