RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
77
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
44
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2518
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link