RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
77
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2518
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link