RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
77
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2518
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link