RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
73
77
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
73
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1843
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link