Confronto tra le RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 39

Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15 7.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.3 6.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2569 1768

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns