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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
42
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2176
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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