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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2690
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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