Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 36

Около 22% меньшая задержка

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.6 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.8 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 36
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 13.6
Скорость записи, Гб/сек

7.5 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2690

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM