RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
4022
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link