RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4022
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link