RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
43
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2128
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link