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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
43
读取速度,GB/s
12.7
14.3
写入速度,GB/s
7.5
7.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2128
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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