RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2128
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link