RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
56
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
29
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3901
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link