Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 44
    Intorno -63% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 11.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.7 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    44 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.2 left arrow 13.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 8.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2293 left arrow 2193
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti