Confronto tra le RAM Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

69 71

Intorno 3% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 6.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

6.4 4.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 14900

Intorno 1.43 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1116 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns