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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
69
71
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
6.4
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
1650
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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