Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

总分
star star star star star
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

总分
star star star star star
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    69 left arrow 71
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.6 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    6.4 left arrow 4.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    69 left arrow 71
  • 读取速度,GB/s
    6.1 left arrow 15.6
  • 写入速度,GB/s
    4.1 left arrow 6.4
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1116 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较