Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Puntuación global
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    69 left arrow 71
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.6 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.4 left arrow 4.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 14900
    En 1.43 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    69 left arrow 71
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.1 left arrow 15.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    4.1 left arrow 6.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1116 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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